中國制造2025-集成電路及設備 
集成電路是指通過半導體工藝將大量電子元器件集成而成的具
有特定功能的電路。本路線圖主要包括集成電路設計、集成電路制造、
集成電路測試封裝、關鍵裝備和材料等內容。 
1 需求 
 集成電路市場規模在2011至2015 年間約為2920 – 3280 億
美元，復合年均增長率為 4%；2016 至 2020 年間約為 3280 – 4000
億美元，復合年均增長率為 4%；2021 至 2030 年間約為 4000 – 5375
億美元，復合年均增長率為 3%。 
 中國集成電路市場規模在 2011 至 2015 年間約為 840 – 1180 億
美元，復合年均增長率為 12%；2016 至 2020 年間約為 1180 – 1734
億美元，復合年均增長率為 8%；2021 至 2030 年間約為 1734 – 2445
億美元，復合年均增長率為 3.5%。 
 中國集成電路市場在 2015 年將占到市場的 36%，2020 年上升
至 43.35%，而到 2030 年將占到 46%，成為zui大集成電路市場。 
 中國集成電路的本地產值在 2015 年預計達到 483 億美元，滿足國
內 41%的市場需求；2020 年預計達到 851 億美元，滿足國內 49%的市
場需求；2030 年預計達到 1837 億美元，滿足國內 75%的市場需求。
從上述數據可以看到，滿足國內市場需求，提升集成電路產品自給率，
同時滿足國家安全需求、占領戰略性產品市場，始終是集成電路產業
發展的zui大需求和動力。 
    
2 目標 
面向國家戰略和產業發展兩個需求，著力發展集成電路設計業，
加速發展集成電路制造業，提升先進封裝測試業發展水平，突破集成
電路關鍵裝備和材料。 
  到 2020 年，集成電路產業與先進水平的差距逐步縮小，全
行業銷售收入年均增速超過 20%，企業可持續發展能力大幅增強。移
動智能終端、網絡通信、云計算、物聯網、大數據等重點領域集成電
路設計技術達到水平，產業生態體系初步形成。16/14nm 制
造工藝實現規模量產，封裝測試技術達到水平，關鍵裝備和
材料進入采購體系，基本建成技術先進、安全可靠的集成電路產
業體系。 
  到 2030 年，集成電路產業鏈主要環節達到先進水平，一批
企業進入*梯隊，實現跨越發展。 
3 發展重點 
1.集成電路設計 
（1）服務器/桌面 CPU 
 單核/雙核服務器/桌面計算機 CPU、多核服務器/桌面計算機 CPU、
眾核服務器/桌面計算機 CPU 
（2）嵌入式 CPU 
 低功耗高性能嵌入式 CPU、低功耗多核嵌入式 CPU、超低功耗眾核
嵌入式 CPU 
（3）存儲器 
    
 隨機存儲器（DRAM）及嵌入式隨機存儲器（eDRAM）、閃存存儲器
（Flash）及三維閃存存儲器（V-NAND Flash） 
（4）FPGA 及動態重構芯片 
 FPGA（現場可編程邏輯陣列）、動態可重構平臺 
（5）集成電路設計方法學 
 SoC（系統級芯片）設計、ESL（電子系統級）設計、3D-IC 設計 

 集成電路制造 
（1）新器件 
 HK 金屬柵及 SiGe/SiC 應力、FinFET（鰭式場效應晶體管）、量子
器件 
（2）光刻技術 
 兩次曝光、多次曝光、EUV（極紫外光刻）、電子束曝光、193nm
光刻膠、EUV 光刻膠 
（3）材料及成套技術 
 65-32nm 光掩膜材料及成套技術、20-14nm 光掩膜材料級成套技術 

集成電路封裝 
（1）倒裝封裝技術 
 大面積倒裝芯片球陣列封裝 
（2）多芯片封裝 
 雙芯片封裝、三維系統級封裝（3D SIP）、多元件集成電路（MCO） 
 

4 重大裝備及關鍵材料 
制造裝備 
    
 90-32nm 工藝設備、20-14nm 工藝設備、18 英寸工藝設備 

2.光刻機 
 90nm 光刻機、浸沒式光刻機、EUV 光刻機 

3.制造材料 
 65-32nm 工藝材料、22-14nm 工藝材料、12/18 英寸硅片 

4.封裝設備及材料 
 高密度封裝設備及配套材料、TSV 制造部分關鍵設備及材料 

戰略支撐和保障 
1.根據產業發展需求，逐步擴大國家集成電路產業投資基金規模
或設立二期、三期基金。 
2.加強現有政策和資源的協同，如：集成電路研發專項、國家科
技重大專項在支持共性技術研發，國家集成電路產業投資基金支持產
業化發展，這些資源要加強協同，形成合力。 
3.加強人力資源培養和引進，加強微電子學科建設支持。 
4.制定技術引進、消化、吸收政策，給予扶持。 
5.建立知識產權保護聯動機制。

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